[发明专利]用于RF开关的堆叠的III族氮化物晶体管及制造方法

摘要

半导体器件包括设置在衬底上的硅柱，硅柱具有侧壁。III族‑N半导体材料设置在硅柱的侧壁上。III族‑N半导体材料具有侧壁。掺杂源极结构和掺杂漏极结构设置在III族‑N半导体材料上。极化电荷感生层设置在III族‑N半导体材料的在掺杂的漏极结构和掺杂的源极结构之间的侧壁上。栅极电介质层的多个部分设置在III族‑N半导体材料的侧壁上和极化电荷感生层之间。由层间电介质层隔开的多个电阻栅极电极与栅极电介质层的多个部分中的每一个相邻设置。源极金属层设置在掺杂源极结构下方并与之接触。

主权项

1.一种半导体器件，包括：硅柱，设置在衬底上，所述硅柱具有侧壁；III族‑氮化物(N)半导体材料，设置在所述硅柱的所述侧壁上，所述III族‑N半导体材料具有侧壁、最上表面和最下表面；掺杂源极结构，设置在所述III族‑N半导体材料上；掺杂漏极结构，设置在所述III族‑N半导体材料上，其中，所述掺杂漏极结构与所述掺杂源极结构间隔开；第一栅极电介质层，设置在所述III‑N族半导体材料的所述侧壁上，所述第一栅极电介质层在所述掺杂源极结构和所述掺杂漏极结构之间，第一电阻栅极电极，设置在所述第一栅极电介质层上；第二栅极电介质层，设置在所述III族‑N半导体材料上，所述第二栅极电介质层在所述掺杂源极结构和所述掺杂漏极结构之间并与所述第一栅极电介质层间隔开；第二电阻栅极电极，设置在所述第二栅极电介质层上；极化电荷感生层，设置在所述III族‑N半导体材料的所述侧壁上，所述极化电荷感生层在所述掺杂漏极结构和所述第一栅极电介质层之间，所述极化电荷感生层在所述第一栅极电介质层和所述第二栅极电介质层之间，并且所述极化电荷感生层在所述第二栅极电介质层和所述掺杂源极结构之间；以及源极金属层，设置在所述掺杂源极结构下方并与所述掺杂源极结构接触。