[发明专利]高电压场效应晶体管有效
| 申请号： | 201710000739.6 | 申请日： | 2011-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN107039515B | 公开（公告）日： | 2021-05-25 |
| 发明（设计）人： | H·W·田;R·周;B·舒-金;G·杜威;J·卡瓦列罗斯;M·V·梅茨;N·慕克吉;R·皮拉里塞泰;M·拉多萨夫列维奇 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/775 | 分类号： | H01L29/775;H01L29/786;H01L21/335;G05F3/02;B82Y10/00;H01L29/06;H01L29/20 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 张伟;王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明描述了适合于高电压和高频率操作的晶体管，特别是高电压场效应晶体管。在衬底上垂直地或水平地设置纳米线。所述纳米线的纵向长度被限定到第一半导体材料的沟道区中，源极区与所述沟道区的第一端电耦合，漏极区与所述沟道区的第二端电耦合，并且非本征漏极区设置于所述沟道区与漏极区之间。所述非本征漏极区的带隙比所述第一半导体的带隙宽。包括栅极导体和栅极绝缘体的栅极堆叠体同轴地完全环绕所述沟道区，漏极和源极接触部类似地也同轴地完全环绕所述漏极和源极区。 | ||
| 搜索关键词： | 电压 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
一种垂直晶体管，包括：圆柱形漏极区，所述圆柱形漏极区位于衬底的最高表面之上，所述圆柱形漏极区具有中心，所述中心具有与所述衬底的所述最高表面正交的轴；圆柱形非本征漏极区，所述圆柱形非本征漏极区位于所述圆柱形漏极区之上，所述圆柱形非本征漏极区具有与所述轴同轴的中心；圆柱形沟道区，所述圆柱形沟道区位于所述圆柱形非本征漏极区之上，所述圆柱形沟道区具有与所述轴同轴的中心；圆柱形源极区，所述圆柱形源极区位于所述圆柱形沟道区之上，所述圆柱形源极区具有与所述轴同轴的中心；包括栅极绝缘体和栅极导体的栅极堆叠体，所述栅极堆叠体被同轴地完全环绕所述圆柱形沟道区；漏极接触部，所述漏极接触部被同轴地完全环绕所述圆柱形漏极区；以及源极接触部，所述源极接触部被同轴地完全环绕所述圆柱形源极区的至少一部分。
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