[发明专利]TFT基板的制作方法

摘要

本发明提供了一种TFT基板的制作方法。该制作方法包括在基板上利用第一道光罩形成TFT栅极，依次沉积第一绝缘层、有源层和第二金属层，利用第二道光罩使形成源极和漏极，在该基板上依次形成第二绝缘层、光阻层，利用第三道光罩定义像素电极图案，在第二绝缘层上形成一漏极通孔，然后去除部分光阻层，对剩余光阻层进行制绒处理形成绒面，再沉积像素电极层，去除剩余光阻层以及光阻层绒面上的像素电极层后，形成像素电极，使得像素电极通过该漏极通孔与漏极相连。该方案只需通过三道光罩制作TFT基板，进行光阻制绒后沉积像素电极层，可以有效剥离光阻层，且像素电极与第二绝缘层无明显的台阶，提高了制程效率并降低了工艺难度。

主权项

一种TFT基板的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：在基板上沉积第一金属层，利用第一道光罩工艺形成TFT栅极；在该基板上依次沉积第一绝缘层、有源层和第二金属层，利用第二道光罩工艺使得第二金属层在有源层的两端分别形成源极和漏极；在该基板上沉积第二绝缘层，在第二绝缘层上形成光阻层，利用第三道光罩对光阻层图形化处理，形成具有第一厚度的第一光阻层和具有第二厚度的第二光阻层，第二厚度大于第一厚度，第一光阻层与第二光阻层间隔设置形成间隔区，在间隔区的第二绝缘层上形成一漏极通孔；去除第一光阻层，对第二光阻层进行制绒处理，从而在第二光阻层表面形成绒面；在该基板上沉积像素电极层，采用湿法刻蚀在第二光阻层绒面未被像素电极层覆盖的表面渗入剥离液，将第二光阻层以及第二光阻层上覆盖的像素电极层去除，从而形成像素电极，该像素电极通过漏极通孔与漏极相连。