[发明专利]一种电容短路失效的定位检测方法在审
| 申请号： | 201710002077.6 | 申请日： | 2017-01-03 |
| 公开（公告）号： | CN106770502A | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 冯慧;王坦;张冠;贺峤 | 申请（专利权）人： | 航天科工防御技术研究试验中心 |
| 主分类号： | G01N27/20 | 分类号： | G01N27/20;G01N1/28;G01N29/04;G01N23/04;G01N23/18;G01N23/083 |
| 代理公司： | 北京风雅颂专利代理有限公司11403 | 代理人： | 李莎,李弘 |
| 地址： | 100085*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种电容短路失效的定位检测方法，包括获取失效电容的初始电阻；对失效电容进行无损检测并判断是否存在缺陷；若存在则存储检测图像并记录缺陷的形态和位置；制备失效电容的金相样品；对金相样品进行磨抛并定时观察剖面状态，判断剖面中是否存在与检测图像对应的缺陷；若是则停止磨抛，否则继续磨抛直到找到与检测图像对应的缺陷；获取金相样品的结果阻值，判断阻值变化率是否超过预设的变化率阈值，若超过预设的变化率阈值，则此处缺陷为引起电容失效的缺陷；若没有超过预设的变化率阈值，则返回磨抛过程继续磨抛，直到找到引起电容失效的缺陷。所述电容短路失效的定位检测方法能够提高电容失效定位检测的效率和准确性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电容 短路 失效 定位 检测 方法 | ||
【主权项】：
一种电容短路失效的定位检测方法，其特征在于，包括：检测并获取失效电容两端的初始电阻；对失效电容进行无损检测，判断失效电容的内部是否存在缺陷；若存在缺陷，则存储检测图像并记录缺陷的形态和位置；采用金相制样方式制备得到失效电容的金相样品；采用磨抛方式对失效电容的金相样品进行磨抛，并在磨抛过程中定时观察剖面状态，判断剖面中是否存在与无损检测的检测图像中对应的缺陷；若是，则停止磨抛，否则继续磨抛直到找到与无损检测的检测图像中对应的缺陷；检测并获取金相样品两端电极之间的结果阻值，判断所述结果阻值相对于初始阻值的变化率是否超过预设的变化率阈值，若阻值变化率超过预设的变化率阈值，则此时发现的缺陷即为引起电容失效的缺陷；若阻值变化率没有超过预设的变化率阈值，则返回磨抛过程继续磨抛，直到找到引起电容失效的缺陷。
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