[发明专利]一种薄膜晶体管、阵列基板及显示装置有效
申请号: | 201710002492.1 | 申请日: | 2017-01-03 |
公开(公告)号: | CN106783886B | 公开(公告)日: | 2020-11-10 |
发明(设计)人: | 曹中林;刘庭良;臧鹏程;黄炜赟;王杨;李挺 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L29/417;H01L29/786 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明实施例提供一种薄膜晶体管、阵列基板及显示装置,涉及显示技术领域,可避免薄膜晶体管弯曲时,有源层对应的区域发生应力断裂,而导致的显示不良。该薄膜晶体管包括一个开关单元或串联在一起的多个开关单元;每个所述开关单元包括:一栅极、与所述栅极分别具有重叠区域的多个相互独立的子有源层,多组源极和漏极,每组源极和漏极与一个所述子有源层接触;其中,位于所述薄膜晶体管一端的多个源极之间电连接,位于所述薄膜晶体管另一端的多个漏极之间电连接。用于薄膜晶体管的制作。 | ||
搜索关键词: | 一种 薄膜晶体管 阵列 显示装置 | ||
【主权项】:
一种薄膜晶体管,其特征在于,包括一个开关单元或串联在一起的多个开关单元;每个所述开关单元包括:一栅极、与所述栅极分别具有重叠区域的多个相互独立的子有源层,多组源极和漏极,每组源极和漏极与一个所述子有源层接触;其中,位于所述薄膜晶体管一端的多个源极之间电连接,位于所述薄膜晶体管另一端的多个漏极之间电连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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