[发明专利]高压瓷绝缘半导体釉有效
| 申请号： | 201710002735.1 | 申请日： | 2017-01-03 |
| 公开（公告）号： | CN106630634B | 公开（公告）日： | 2019-06-18 |
| 发明（设计）人： | 姚绍明;薛征峰;罗汉英 | 申请（专利权）人： | 重庆鸽牌电瓷有限公司 |
| 主分类号： | C03C8/20 | 分类号： | C03C8/20;C03C1/04;C04B41/86;C03C8/16 |
| 代理公司： | 重庆强大凯创专利代理事务所(普通合伙) 50217 | 代理人： | 黄书凯;文怡然 |
| 地址： | 401221 重庆市*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体釉技术领域，具体涉及高压瓷绝缘半导体釉，半导体釉含有如下质量配比的组分：高钾低铁长石25～35份，坯泥8～14份，东胜土4～10份，锻滑石1～4份，石英粉20～30份，碳酸钡2～4份，氧化铁红12～18份，氧化铬绿1～3份，二氧化钛9～12份，锂辉石1～2份。本发明半导体釉的结构稳定性高，表面细腻，表面有光泽，且降低共熔点，提高熔解效率；同时，采用东胜土和坯泥，提高半导体釉浆的上釉后的结合能力。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 绝缘 半导体 | ||
【主权项】：
1.高压瓷绝缘半导体釉，其特征在于，所述半导体釉包括以下质量份数的组分：高钾低铁长石25～35份，坯泥8～14份，东胜土4～10份，锻滑石1～4份，石英粉20～30份，碳酸钡2～4份，氧化铁红12～18份，氧化铬绿1～3份，二氧化钛9～12份，锂辉石1～2份。
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