[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201710002942.7 | 申请日： | 2017-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN107123681B | 公开（公告）日： | 2022-03-01 |
| 发明（设计）人： | 森隆弘 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 金光华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体装置以及半导体装置的制造方法，提高具有LDMOS的半导体装置的特性。在包围漏极区域(DR)的n型漂移区域(HNDF)与n型埋入区域(NBL)之间设置p型半导体区域(PISO)，在该p型半导体区域(PISO)与包围源极区域(SR)的p型阱区域(PWL)之间，以与p型半导体区域(PISO)和p型阱区域(PWL)重叠的方式设置p型半导体区域(H1PW)。在n型埋入区域(NBL)之上，设置p型半导体区域(PISO)，从而能够确保负输入耐压。进而，能够增大源极区域(SR)与p型半导体区域(PISO)之间的电位差，能够迅速地进行空穴的抽取。另外，通过设置p型半导体区域(H1PW)，能够确保经由p型半导体区域(H1PW)流过的空穴电流的路径。由此，能够提高导通耐压。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，具有：半导体层；第1导电类型的源极区域和漏极区域，在所述半导体层中隔开间隔地形成；沟道形成区域，位于所述源极区域和漏极区域之间；第1绝缘区域，形成于所述沟道形成区域与所述漏极区域之间的所述半导体层中；栅极电极，隔着栅极绝缘膜形成于所述沟道形成区域上，延伸至所述第1绝缘区域上；所述第1导电类型的第1半导体区域，包围所述漏极区域；第2导电类型的第2半导体区域，包围所述源极区域，并且所述第2导电类型与所述第1导电类型相反；所述第2导电类型的第3半导体区域，配置于所述第1半导体区域的下方；以及所述第2导电类型的第4半导体区域，配置于所述第3半导体区域与所述第2半导体区域之间，在俯视时，所述第4半导体区域配置成与所述第3半导体区域的所述第2半导体区域侧的端部叠合，并且，所述第4半导体区域配置成与所述第2半导体区域的所述第1半导体区域侧的端部叠合。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于瑞萨电子株式会社，未经瑞萨电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710002942.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种半导体超结功率器件
- 下一篇：绝缘膜、半导体装置的制造方法以及半导体装置
- 同类专利
- 专利分类
