[发明专利]一种实现栅极驱动电路的系统和方法有效

专利信息
申请号: 201710003085.2 申请日: 2017-01-03
公开(公告)号: CN106849621B 公开(公告)日: 2019-05-28
发明(设计)人: 姚超;张允超;夏正兰;赵时峰;方烈义 申请(专利权)人: 昂宝电子(上海)有限公司
主分类号: H02M1/088 分类号: H02M1/088
代理公司: 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 代理人: 孙洋
地址: 201203 上海市浦东新区*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明涉及一种实现栅极驱动电路的系统和方法。提供了一种实现栅极驱动电路的系统,包括:驱动芯片,包括高边(high‑side)控制电路,包括高边驱动管、第一P沟道金属氧化物半导体PMOS开关和第二PMOS开关、以及高边延时组件,其中高边延时组件的输入接收栅极电压检测信号并且输出连接到并联的第一PMOS开关;以及低边(low‑side)控制电路,包括并联连接的第一低边驱动管和第二低边驱动管,其中第一低边驱动管的驱动能力大于第二低边驱动管的驱动能力,以及低边延时组件;以及MOS功率级,MOS功率级包括功率晶体管并且功率晶体管的栅极与高边控制电路和低边控制电路分别连接。
搜索关键词: 一种 实现 栅极 驱动 电路 系统 方法
【主权项】:
1.一种实现栅极驱动电路的系统,包括:驱动芯片,所述驱动芯片包括:高边(high‑side)控制电路,包括高边驱动管、第一PMOS开关和第二PMOS开关、以及高边延时组件;以及低边(low‑side)控制电路,包括并联连接的第一低边驱动管和第二低边驱动管,其中所述第一低边驱动管的驱动能力大于所述第二低边驱动管的驱动能力,以及低边延时组件;以及MOS功率级,所述MOS功率级包括功率晶体管并且所述功率晶体管的栅极与所述高边控制电路和所述低边控制电路分别连接,其中所述高边延时组件的输入接收所述功率晶体管的栅极处的栅极信号并且输出连接到所述第一PMOS开关的栅极;其中当控制所述功率晶体管开启时,首先以第二驱动信号使得所述第一低边驱动管和所述第二低边驱动管截止并且以第一驱动信号使得所述第二PMOS开关导通,在由所述高边延时组件确定的第一延迟时间之后使得所述第一PMOS开关导通,其中所述第一延迟时间是所述栅极信号从小于预定阈值变得大于预定阈值的时刻后的预定长度的时间段;并且当控制所述功率晶体管关断时,首先以第一驱动信号使得所述高边驱动管截止并且以第二驱动信号使得所述第二低边驱动管导通,在由所述低边延时组件的输出信号确定的第二延迟时间之后使得所述第一低边驱动管导通,其中所述输出信号至少部分地基于所述功率晶体管源极处的电流检测CS信号确定;其中所述低边延时组件包括:电流检测CS负斜率检测单元,被配置用于CS负斜率检测以获取第一检测信号;PWM延迟信号产生单元,被配置为接收PWM信号并且生成具有第三延迟时间的第一延迟信号和具有第四延迟时间的第二延迟信号,所述第三延迟时间不同于所述第四延迟时间;非门,被配置为对所述第一延迟信号进行反相处理以获得反相信号;以及上升沿D触发器,所述D触发器的输入D端接逻辑高电平,在时钟输入端接收所述第一检测信号,在复位端接所述反相信号,从而输出Q信号;以及或门,被配置为接收所述Q信号和所述第二延迟信号,并且生成所述输出信号;其中所述高边控制电路还包括:第一电流源和第二电流源,分别用于提供所述第一电流和所述第二电流,并且所述第一PMOS开关和第二PMOS开关分别与所述第一电流源和所述第二电流源连接,并且其中所述第一电流源的电流幅度大于所述第二电流源的电流幅度。
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