[发明专利]一种晶片阻值保险性电阻器及其生产工艺有效
| 申请号： | 201710003177.0 | 申请日： | 2017-01-03 |
| 公开（公告）号： | CN106847447B | 公开（公告）日： | 2018-09-21 |
| 发明（设计）人： | 刘立洪 | 申请（专利权）人： | 常州安斯电子有限公司 |
| 主分类号： | H01C1/02 | 分类号： | H01C1/02;H01C13/02;H01H85/055;H01C17/06 |
| 代理公司： | 苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙) 32257 | 代理人： | 李明 |
| 地址： | 213000 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种晶片阻值保险性电阻器，包括：基板、电阻层、熔断层和导体；电阻层设置于基板上，且通过导体连接于电路中；熔断层覆盖于电阻层表面，且与导体连接。通过在晶片电阻上设置熔断层，使得晶片电阻既具线绕保险电阻器的保险功能，又可像常规的晶片电阻一样，进行自动化安装，提高了生产效率，有效的节约了成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶片 阻值 保险 电阻器 及其 生产工艺 | ||
【主权项】：
1.一种晶片阻值保险性电阻器，包括：基板（1）、电阻层（2）、熔断层（3）和导体（4）；所述电阻层（2）设置于所述基板（1）上，且通过所述导体（4）连接于电路中；其特征在于：所述熔断层（3）覆盖于所述电阻层（2）表面，且与所述导体（4）连接；其中，所述熔断层（3）覆盖于所述电阻层（2）表面具体为，所述电阻层（2）包括上下两层，所述电阻层（2）的上层中间部分设置有熔断间隙，所述熔断层（3）下表面设置有伸入所述熔断间隙的突出部。
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