[发明专利]沟槽型双层栅MOSFET的制作方法有效
| 申请号： | 201710004146.7 | 申请日： | 2017-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN106887465B | 公开（公告）日： | 2019-12-10 |
| 发明（设计）人： | 陈晨 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 31211 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘昌荣 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种沟槽型双层栅MOSFET的制作方法，步骤包括：1)刻蚀沟槽，生长ONO结构的沟槽层接膜；2)生长源极多晶硅，反刻蚀至沟槽上表面；3)用光刻胶保护源极多晶硅引出端，反刻蚀密集区的源极多晶硅；4)依次去除沟槽层接膜中的部分外层氧化硅膜、光刻胶、沟槽层接膜中的剩余外层氧化硅膜；5)生长多晶硅间的氧化层；6)去除沟槽层接膜中的氮化硅膜和内层氧化硅膜；7)依次生长栅极氧化层、栅极多晶硅，并反刻蚀栅极多晶硅，完成器件的制作。本发明通过优化沟槽层接膜去除工艺和减少源极多晶硅的氧化量，改善了源极多晶硅引出端的IPO层形貌，解决了栅极多晶硅残留的问题，从而消除了栅极到源极的漏电隐患。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 双层 mosfet 制作方法 | ||
【主权项】：
1.沟槽型双层栅MOSFET的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：/n1)在硅衬底上刻蚀形成沟槽，并在沟槽内生长沟槽层接膜；所述沟槽层接膜的膜层结构为氧化硅-氮化硅-氧化硅；/n2)生长源极多晶硅，并反刻蚀源极多晶硅至沟槽上表面；/n3)用光刻胶保护源极多晶硅引出端，对密集区的源极多晶硅进行反刻蚀；/n4)依次去除沟槽层接膜中的部分外层氧化硅膜、保护源极多晶硅引出端的光刻胶、沟槽层接膜中的剩余外层氧化硅膜；/n5)在源极多晶硅上方生长多晶硅间的氧化层；/n6)去除沟槽层接膜中的氮化硅膜和内层氧化硅膜；/n7)依次生长栅极氧化层、栅极多晶硅，并对栅极多晶硅进行反刻蚀；后续按照传统工艺流程完成沟槽型双层栅MOSFET的制作。/n
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