[发明专利]防止光刻胶剥落的方法在审
| 申请号： | 201710004166.4 | 申请日： | 2017-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN106610569A | 公开（公告）日： | 2017-05-03 |
| 发明（设计）人： | 刘善善;吴兵;曹俊 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/16 | 分类号： | G03F7/16 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司31211 | 代理人： | 刘昌荣 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种防止光刻胶剥落的方法，用于离子注入工艺之后，刻蚀工艺之前，具体包括以下步骤1)对硅基板表面进行处理，将没有覆盖光刻胶的硅基板表面变成亲水性；2)用水处理硅基板表面，使没有覆盖光刻胶的硅基板吸水膨胀；3)对光刻胶进行固化处理。本发明通过在离子注入后，先用ASH plasma处理硅基板表面，将裸露的硅基板表面变成亲水性，再用水处理硅基板表面，使裸露的硅基板吸水膨胀，如此抵消了UVC固化时，胶体收缩产生的应力，从而避免了光刻胶在刻蚀的时候与硅基板发生剥离，保证了刻蚀能够获得良好的图形。 | ||
| 搜索关键词： | 防止 光刻 剥落 方法 | ||
【主权项】：
一种防止光刻胶剥落的方法，用于离子注入工艺之后，刻蚀工艺之前，其特征在于，包括以下步骤：1)对硅基板表面进行处理，将没有覆盖光刻胶的硅基板表面变成亲水性；2)用水处理硅基板表面，使没有覆盖光刻胶的硅基板吸水膨胀；3)对光刻胶进行固化处理。
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