[发明专利]高压ESD保护触发电路在审
申请号: | 201710004410.7 | 申请日: | 2017-01-04 |
公开(公告)号: | CN106786463A | 公开(公告)日: | 2017-05-31 |
发明(设计)人: | 邓樟鹏 | 申请(专利权)人: | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | H02H9/04 | 分类号: | H02H9/04 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司31211 | 代理人: | 戴广志 |
地址: | 201203 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本申请公开了一种高压ESD保护触发电路,所述触发电路包括一具有电压钳位的器件,其阴极接输入输出衬垫;一电容,其第一端接输入输出衬垫;一第一电阻和第二电阻;一第一NMOS管,其源极接地,其栅极与所述电容的第二端相连接,其漏极与所述第二电阻的第一端相连接;所述具有电压钳位的器件的阳极与所述第二电阻的第二端相连接,所述第一电阻的一端与所述电容的第二端以及所述第一NMOS管的栅极相连接,所述第一电阻的另一端接地。让大尺寸的驱动NMOS管(N_Driver,N型驱动管)的gate端在ESD时置高电位,均匀开启驱动NMOS管(N_Driver管)的所有沟道帮助泄放ESD电流,提高ESD保护的能力。 | ||
搜索关键词: | 高压 esd 保护 触发 电路 | ||
【主权项】:
一种高压ESD保护触发电路,其特征在于,所述触发电路包括:一具有电压钳位的器件,其阴极接输入输出衬垫;一电容,其第一端接输入输出衬垫;一第一电阻和第二电阻;一第一NMOS管,其源极接地,其栅极与所述电容的第二端相连接,其漏极与所述第二电阻的第一端相连接;所述具有电压钳位的器件的阳极与所述第二电阻的第二端相连接,所述第一电阻的一端与所述电容的第二端以及所述第一NMOS管的栅极相连接,所述第一电阻的另一端接地。
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