[发明专利]用于早期检测TS至PC短路问题的方法有效
| 申请号： | 201710006926.5 | 申请日： | 2017-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN107026099B | 公开（公告）日： | 2020-03-17 |
| 发明（设计）人： | 雷鸣 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 英属开曼群*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及用于早期检测TS至PC短路问题的方法，其提供用以支持在TS‑CMP制程阶段在线检测TS‑PC短路缺陷的方法。实施例包括提供半导体衬底，该衬底具有多个部分形成的MOSFET装置；对该衬底执行第一缺陷检测，该第一检测包括ACC；基于该第一检测识别该衬底上的一个或多个BVC候选；对该一个或多个BVC候选执行第二缺陷检测，该第二检测在没有ACC的情况下执行；以及基于在该第一及第二检测期间出现的该一个或多个BVC候选检测该衬底上的一个或多个BVC缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 早期 检测 ts pc 短路 问题 方法 | ||
【主权项】：
一种方法，包括：提供半导体衬底，该衬底具有多个部分形成的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)装置；对该衬底执行第一缺陷检测，该第一检测包括先进充电控制(ACC)；基于该第一检测识别该衬底上的一个或多个亮电压对比(BVC)候选；对该一个或多个BVC候选执行第二缺陷检测，该第二检测在没有ACC的情况下执行；以及基于在该第一及第二检测期间出现的该一个或多个BVC候选检测该衬底上的一个或多个BVC缺陷。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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