[发明专利]一种薄膜晶体管在审
| 申请号： | 201710007292.5 | 申请日： | 2017-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN106711230A | 公开（公告）日： | 2017-05-24 |
| 发明（设计）人： | 张志云 | 申请（专利权）人： | 西安科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/24;H01L21/34 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 710000 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种薄膜晶体管，包括基板、设置在基板上的栅极、设置在基板上且覆盖栅极的栅绝缘层、源极、漏极，还包括银掺杂氧化锌锡合金层，所述栅绝缘层的表面上相对两侧设有源极、漏极，所述银掺杂氧化锌锡合金层设置在栅绝缘层的表面且源极、漏极的两端分别与其接触，所述银掺杂氧化锌锡合金层包括沟道区域，沟道区域位于源极、漏极之间，银掺杂氧化锌锡合金层中银占氧化锌锡重量的1‑2％。本发明掺入银元素有利于提高氧化锌锡薄膜的电极中的载流子迁移率，采用铟锡氧化物玻璃基片和低温退火工艺，可得到高场效应迁移率的ZnSnO‑TFT薄膜晶体管，生产工艺简单，使用寿命长。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，包括基板、设置在基板上的栅极、设置在基板上且覆盖栅极的栅绝缘层、源极、漏极，其特征在于：还包括银掺杂氧化锌锡合金层，所述栅绝缘层的表面上相对两侧设有源极、漏极，所述银掺杂氧化锌锡合金层设置在栅绝缘层的表面且源极、漏极的两端分别与其接触，所述银掺杂氧化锌锡合金层包括沟道区域，沟道区域位于源极、漏极之间，银掺杂氧化锌锡合金层中银占氧化锌锡重量的1‑2％。
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