[发明专利]一种改进型功率半导体器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201710007826.4 | 申请日： | 2017-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN106784222A | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 黄国华;蔡荣怀;陈孟邦;曹进伟;乔世成 | 申请（专利权）人： | 宗仁科技（平潭）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/38;H01L33/00 |
| 代理公司： | 深圳中一专利商标事务所44237 | 代理人： | 阳开亮 |
| 地址： | 350400 福建省福州市*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于半导体功率器件技术领域，提供了一种改进型功率半导体器件及其制备方法。改进型功率半导体器件包括多个元胞MOS器件，元胞MOS器件的多晶栅具有倾斜的侧壁，元胞MOS器件的源区具有梯度式的浓度分布；通过多晶栅侧壁的倾斜使得多晶栅上角与源区金属的距离增加，减少了栅、源短路失效率以及多晶栅下的阱区横向电阻，提高了器件的抗闩锁能力；同时，通过元素一次性注入源区形成的梯度式的浓度分布，工艺简单化的同时减少了空穴电流在源区与阱区耗尽区拐角处形成电流拥挤的现象，避免了由于电流集中而导致器件损坏的情况发生。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改进型 功率 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种改进型功率半导体器件，包括多个元胞MOS器件，其特征在于，所述元胞MOS器件的多晶栅具有倾斜的侧壁，所述元胞MOS器件的源区具有元素一次性注入形成的梯度式的浓度分布。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于宗仁科技（平潭）有限公司，未经宗仁科技（平潭）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710007826.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
