[发明专利]一种IGBT饱和压降检测电路在审
| 申请号： | 201710009386.6 | 申请日： | 2017-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN106645900A | 公开（公告）日： | 2017-05-10 |
| 发明（设计）人： | 涂光炜 | 申请（专利权）人： | 四川埃姆克伺服科技有限公司 |
| 主分类号： | G01R19/165 | 分类号： | G01R19/165 |
| 代理公司： | 四川力久律师事务所51221 | 代理人： | 王芸,熊晓果 |
| 地址： | 610225 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及电机驱动领域，特别涉及一种IGBT饱和压降检测电路。本发明提供的IGBT饱和压降检测电路可通过设置第一二极管D1和第一稳压二极管ZD1值决定报警电压阈值，同时通过第四电阻R4和第一电容C1调整报警时间，只有超过阈值的极间电压存在时间超过报警时间，本电路的输出端口才会输出报警信号至控制器（如驱动光耦）。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 igbt 饱和 检测 电路 | ||
【主权项】：
一种IGBT饱和压降检测电路，其特征在于，包括第一端口及第二端口，所述第一端口及第二端口分别与被控IGBT的集电极、射极连接，用于检测被控IGBT的集电极与射极之间的极间电压；还包括，第一二极管D1、第二二极管D2、第一稳压二极管ZD1、第二稳压二极管ZD2、第三电阻R3、第四电阻R4及第一电容C1；所述第一二极管D1的负极与第一端口、第二端口连接，正极与第一稳压二极管ZD1的正极连接，第一稳压二极管ZD1的负极与第三电阻R3的第一端连接；所述第三电阻R3的第二端通过第四电阻R4与IGBT驱动电路的输出端连接；同时，所述第三电阻R3还通过并接的第一电容C1、第二二极管D2、第二稳压二极管ZD2接地；其中，第一电容C1与第三电阻R3连接的一端为检测电路的输出端口。
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