[发明专利]一种纳米多孔薄膜闭孔孔隙率的测量方法

摘要

本发明公开了一种纳米多孔薄膜闭孔孔隙率的测量方法，包括以下步骤采集基于慢正电子束的湮没辐射能量谱；计算待测薄膜的线型参数S和W；作出该系列的待测薄膜的S‑W曲线以判断其是否为相同的闭孔结构；再根据薄膜闭孔孔隙率Vp与S参数之间的线性关系估算出待测样品的孔隙率。本发明公开的测量方法不仅能检测到闭孔孔隙率等孔结构信息，且检测过程无需将样品薄膜从衬底上剥离，避免了采用传统技术需要剥离制样使得在剥离过程中损坏了薄膜中的介孔结构，提高了测量结果的准确性和样品重复利用率。

主权项

一种纳米多孔薄膜闭孔孔隙率的测量方法，其特征在于，包括以下步骤：a、将尺寸为1cm×1cm的待测薄膜安装在样品架上；b、设置入射正电子的能量范围，采集所述待测薄膜在不同入射正电子能量下的湮没辐射能量谱；c、选择所述湮没辐射能量谱中511keVγ衍射峰的中央区域宽度和两翼区域宽度，并根据公式S＝A/SUM(1)和W＝B/SUM(2)，计算待测薄膜的线型参数S和W；其中，S为中央区域湮没计数A与峰总区域计数SUM之比，W为两侧区域湮没计数B与峰总区域计数SUM之比，中间区域为511keV±|ΔEγ|，|ΔEγ|为0.76keV，两侧区域为1.44keV≤|ΔEγ|≤4.81keV。d、另取一片尺寸为1cm×1cm的待测薄膜安装在样品架上，重复步骤a‑c，得到该待片测薄膜的S和W参数，再依次采集完该系列的所有待测薄膜的湮没辐射能量谱，得到该系列的所有待测薄膜的S和W参数；e、根据所述步骤d中得到的S和W参数值，作出该系列的待测薄膜的S‑W曲线，判断其是否为相同的闭孔结构；f、根据相同类型的闭孔薄膜之间的线性关系S∝Vp，Vp为闭孔孔隙率，由无孔薄膜的S参数，得到这一系列待测闭孔薄膜的孔隙率。