[发明专利]可变电阻存储器件有效
申请号: | 201710010507.9 | 申请日: | 2017-01-06 |
公开(公告)号: | CN106992196B | 公开(公告)日: | 2021-12-28 |
发明(设计)人: | 朴日穆 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/24 | 分类号: | H01L27/24;H01L45/00 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 翟然 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 提供了可变电阻存储器件。一种可变电阻存储器件包括第一和第二导线以及在第一和第二导线之间的可变电阻材料和开关元件。该开关元件包括分别在不同的第一和第二方向上延伸和/或面对不同的第一和第二方向的第一和第二部分。还提供了制造可变电阻存储器件的方法。 | ||
搜索关键词: | 可变 电阻 存储 器件 | ||
【主权项】:
一种可变电阻存储器件,包括:在第一方向上延伸的第一导线;在交叉所述第一方向的第二方向上延伸的第二导线,其中所述第二导线在垂直于所述第一和第二方向的第三方向上与所述第一导线间隔开;以及在所述第一导线和所述第二导线之间的第一开关元件和第一可变电阻结构,其中所述第一开关元件在所述第三方向上与所述第一可变电阻结构间隔开,其中所述第一开关元件每个包含在所述第三方向上延伸的第一部分以及在所述第一方向上或所述第二方向上延伸的第二部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的