[发明专利]一种纳米间隙的制备方法在审
| 申请号： | 201710010578.9 | 申请日： | 2017-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN106842814A | 公开（公告）日： | 2017-06-13 |
| 发明（设计）人： | 李俊杰;潘如豪;刘哲;全保刚;顾长志 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京智汇东方知识产权代理事务所(普通合伙)11391 | 代理人： | 范晓斌,康正德 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种纳米间隙的制备方法，包括如下步骤提供一基底，在基底的表面处施加第一光刻胶层，并得到第一光刻胶图形；按照第一光刻胶图形在基底处沉积第一材料，或者将基底刻蚀预定深度；去除第一光刻胶层，以获得具有第一厚度的第一材料层，或者以获得由基底自身形成的凸起层；以预定入射角度沉积具有第二厚度的第二材料，以在第一材料层和第二材料层之间形成纳米间隙；其中，通过调节第一材料层的第一厚度以及预定入射角度，以改变纳米间隙的尺寸。本发明的制备方法能够使得纳米间隙的间隙尺寸在纳米范围内精确可控，并获得任意需要的间隙尺寸的纳米间隙，尤其可以获得小于5nm的纳米间隙。而且本发明适用于纳米间隙的大面积制备。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 间隙 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种纳米间隙的制备方法，包括如下步骤：提供一基底，在所述基底的表面处施加第一光刻胶层，并按照第一预定图形形成第一光刻胶图形；按照所述第一光刻胶图形在所述基底处沉积第一材料，或者按照所述第一光刻胶图形将所述基底刻蚀预定深度；去除所述第一光刻胶层，以获得由所述第一材料在所述基底的表面形成的与所述第一光刻胶图形对应的第一材料层，所述第一材料层具有第一厚度，或者以获得由所述基底自身形成的凸起层；以预定入射角度在具有第一材料层或凸起层的所述基底处沉积第二材料，以形成具有第二厚度的第二材料层，以在所述第一材料层和所述第二材料层之间形成所述纳米间隙；其中，通过调节所述第一材料层的第一厚度以及所述预定入射角度，以改变所述纳米间隙的尺寸。
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