[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201710010912.0 | 申请日： | 2017-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN108281478B | 公开（公告）日： | 2021-08-06 |
| 发明（设计）人： | 李勇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/10;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 高静;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供基底，基底上形成有层间介质层，层间介质层内具有露出部分基底的开口，开口底部和侧壁形成有叠层结构，叠层结构还位于层间介质层的顶部；至少去除位于层间介质层顶部的叠层结构；至少去除部分所述叠层结构后，对基底进行退火处理；退火处理后，在开口中填充金属层，形成栅极结构。本发明通过采用至少去除位于层间介质层顶部的叠层结构的方法，以减小叠层结构的长度；从而可以减小叠层结构的膨胀量(或收缩量)，相应减小叠层结构因产生过大应力而发生破裂的可能性，以减小栅极漏电流、改善半导体结构中接触孔插塞和栅极结构之间的隔离效果，进而使所形成半导体结构的电学性能和良率得到提高。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底上形成有层间介质层，所述层间介质层内具有露出部分所述基底的开口，所述开口的底部和侧壁形成有叠层结构，所述叠层结构还位于所述层间介质层的顶部；至少去除位于所述层间介质层顶部的叠层结构；至少去除部分所述叠层结构后，对所述基底进行退火处理；退火处理后，在所述开口中填充金属层，形成栅极结构。
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