[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 201710011800.7 | 申请日： | 2017-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN108281479A | 公开（公告）日： | 2018-07-13 |
| 发明（设计）人： | 周飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 高静;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：形成基底，基底内具有相邻接的第一阱区和第二阱区；在第二阱区内形成第一隔离层，第一隔离层将第二阱区分为靠近第一阱区的第一区域、第二区域以及第三区域；形成栅极结构和第一掩膜栅结构；在栅极结构露出的第一阱区内和第一掩膜栅结构露出的第二阱区第二区域内分别形成源漏掺杂区。本发明技术方案能够延长第二阱区内源漏掺杂区与第一阱区内源漏掺杂区之间的距离，有利于延长所形成半导体结构源区与漏区之间的距离，延长半导体结构沟道导通后电流通道的长度，有利于提高半导体结构的耐压性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体结构 阱区 源漏掺杂区 第二区域 栅极结构 隔离层 栅结构 基底 掩膜 第一区域 电流通道 耐压性能 导通 沟道 漏区 源区 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：基底，所述基底内具有相邻接的第一阱区和第二阱区，所述第一阱区内具有第一类型掺杂离子，所述第二阱区内具有第二类型掺杂离子；位于所述第二阱区内的第一隔离层，所述第一隔离层将所述第二阱区分为靠近所述第一阱区的第一区域、远离所述第一阱区的第二区域以及位于所述第一隔离层下的第三区域；位于所述第一阱区上的栅极结构，所述栅极结构还位于所述第二阱区第一区域上；位于所述第二阱区上的第一掩膜栅结构，所述第一掩膜栅结构位于靠近第一区域的部分第二区域上；分别位于所述第一阱区和第二阱区内的源漏掺杂区，所述第一阱区内的源漏掺杂区位于所述栅极结构露出的第一阱区内，所述第二阱区内的源漏掺杂区位于所述第一掩膜栅结构露出的第二阱区第二区域内。
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