[发明专利]同质双层SiO2与聚四氟乙烯复合的自清洁减反膜及制备方法有效
| 申请号： | 201710013416.0 | 申请日： | 2017-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN106526719B | 公开（公告）日： | 2018-06-15 |
| 发明（设计）人： | 张政军;乐雅;淮晓晨 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | G02B1/18 | 分类号： | G02B1/18;G02B1/115 |
| 代理公司： | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人： | 邸更岩 |
| 地址： | 100084 北京市海淀区1*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种同质双层SiO2与聚四氟乙烯复合的自清洁减反膜及制备方法，该减反膜是由致密二氧化硅层、多孔二氧化硅纳米棒层和聚四氟乙烯纳米棒复合而成；其制备方法是采用电子束蒸镀方法，在透明或半透明基底上依次沉积三层折射率逐步递减的致密二氧化硅、多孔二氧化硅和聚四氟乙烯纳米棒复合薄膜。该复合薄膜对可见光范围内的多角度入射光均具有良好的减反增透作用，与未复合聚四氟乙烯纳米棒的双层氧化硅薄膜相比，该复合薄膜在提高减反增透作用的同时，也具有良好的热稳定性、疏水性及与基体的机械粘附力，可满足光学器件、自清洁太阳能电池、光子器件、滤色器、光记录器等表面减反增透的实际应用要求。 1 | ||
| 搜索关键词： | 聚四氟乙烯 纳米棒 复合薄膜 自清洁 制备 多孔二氧化硅 致密二氧化硅 增透作用 复合 同质 复合聚四氟乙烯 电子束蒸镀 氧化硅薄膜 可见光 太阳能电池 光记录器 光学器件 光子器件 热稳定性 应用要求 半透明 滤色器 入射光 疏水性 折射率 基底 三层 增透 粘附 沉积 递减 透明 | ||
【主权项】：
1.一种同质双层二氧化硅与聚四氟乙烯复合的自清洁减反膜的制备方法，其特征在于该方法包括如下步骤：
1)利用电子束蒸镀方法，先将沉积角度设定为0°，在透明或半透明的基底上沉积一层厚度为90～99nm、折射率为1.21～1.45的致密二氧化硅层；
2)将沉积角度设定为80°，在获得的致密二氧化硅层上，沉积一层厚度为85～90nm、孔隙率为63％～67％、折射率为1.17～1.21的多孔二氧化硅纳米棒层；
3)将沉积角度设定为85°、沉积压力为10‑4～10‑5Pa，在获得的多孔二氧化硅纳米棒层上沉积一层厚度为140～150nm、折射率为1～1.17、孔隙率为80％～83％的聚四氟乙烯纳米棒层，即得到由折射率逐步递减的致密二氧化硅层、多孔二氧化硅纳米棒层和聚四氟乙烯纳米棒层复合的自清洁减反膜。
2.根据权利要求1所述的一种同质双层二氧化硅与聚四氟乙烯复合的自清洁减反膜的制备方法，其特征在于，所述基底采用石英片、BK7、SF5、LAK14、FTO或派莱克斯玻璃中的任一种，它们的折射率在1.45～1.95之间。
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