[发明专利]一种不同相结构的纳米晶金属钴薄膜的制备方法在审
| 申请号： | 201710013738.5 | 申请日： | 2017-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN106756852A | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 连建设;石文辉;韩双;李恒;刘方刚;李松;郝晋;孙朔 | 申请（专利权）人： | 吉林大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/16 |
| 代理公司： | 长春吉大专利代理有限责任公司22201 | 代理人： | 朱世林 |
| 地址： | 130012 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 一种不同相结构的纳米晶金属钴薄膜的制备方法，尤其是采用可程式直流磁控溅射法并通过控制占空比和溅射功率来制备纯FCC和HCP相及其混合相的纳米晶钴薄膜。溅射电源采用可程式直流电源，溅射靶材为纯度达到99.9wt％以上的钴靶，衬底为单晶Si片(100)，在沉积之前，将Si片清洗，真空室的本底真空抽至3‑5x10‑4Pa以上，溅射室内通入高纯氩气，工作压强设置为1.5‑2Pa，衬底的温度保持为室温；占空比为50％，溅射功率150‑200W，制备纯HCP相薄膜；占空比为67％，溅射功率为150‑200W，制备FCC和HCP混合相钴薄膜；占空比为100％，溅射功率为150‑200W，制备纯FCC相薄膜。本发明操作简单，重复性好，实现效果良好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 不同 结构 纳米 金属 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种不同相结构的纳米晶金属钴薄膜的制备方法，采用可程式直流磁控溅射法，溅射靶材为纯度达到99.9％以上的钴，衬底为单晶Si片(100)，在沉积之前，将硅片清洗，然后将真空室本底真空抽至3‑5x10‑4Pa，溅射气体为高纯氩气，溅射压强为1.5‑2Pa，衬底温度为室温；钴薄膜的生长速率由溅射功率决定，即薄膜的厚度通过控制溅射时间控制；占空比为50％，溅射功率150‑200W，制备纯HCP相薄膜；占空比为67％，溅射功率为150‑200W，制备FCC和HCP混合相钴薄膜；占空比为100％，溅射功率为150‑200W，制备纯FCC相薄膜。
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