[发明专利]一种活性气体辅助生长晶体硅的方法在审
| 申请号： | 201710013942.7 | 申请日： | 2017-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN107043955A | 公开（公告）日： | 2017-08-15 |
| 发明（设计）人： | 尹长浩;皮尔威灵顿;熊震;刘超 | 申请（专利权）人： | 常州天合光能有限公司 |
| 主分类号： | C30B28/06 | 分类号： | C30B28/06;C30B29/06 |
| 代理公司： | 浙江永鼎律师事务所33233 | 代理人： | 郭小丽 |
| 地址： | 213031 江苏省常*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种活性气体辅助生长晶体硅的方法，包括步骤S1将硅料入铸锭炉后加热熔化，待硅料完全熔化后，将注气管逐渐从炉腔顶部伸到硅熔体上表面，缓慢通过注气管向炉体内通入氩气；S2待注气管表面温度与硅熔体接近后，将注气管逐渐伸入硅熔体的内部，同时保持氩气流；S3注气管逐渐伸入硅熔体中下部，注气管的出气口距离长晶界面5‑10mm处，将注气管中的氩气切换成氩气稀释的Cl2、HCl、氯化烷烃或氯化烯烃的一种或几种的混合气体；S4随着长晶界面高度的不断上升，不断提升注气管的高度，并始终保持注气管的出气口距离长晶界面5‑10mm，待长晶过程即将完成时，将注气管中的活性气体切换成氩气，并将注气管提升至硅熔体液面之上。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 活性 气体 辅助 生长 晶体 方法 | ||
【主权项】：
一种活性气体辅助生长晶体硅的方法，包括如下步骤：S1：将硅料入铸锭炉后加热熔化，待硅料完全熔化后，将注气管逐渐从炉腔顶部伸到硅熔体上表面，缓慢通过注气管向炉体内通入氩气；S2：待注气管表面温度与硅熔体接近后，将注气管逐渐伸入硅熔体的内部，同时保持氩气流；S3：注气管逐渐伸入硅熔体中下部，注气管的出气口距离长晶界面5‑10mm处，将注气管中的氩气切换成氩气稀释的Cl2、HCl、氯化烷烃或氯化烯烃的一种或几种的混合气体；S4：随着长晶界面高度的不断上升，不断提升注气管的高度，并始终保持注气管的出气口距离长晶界面5‑10mm，待长晶过程即将完成时，将注气管中的活性气体切换成氩气，并将注气管提升至硅熔体液面之上。
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