[发明专利]反应烧结碳化硅表面残留物的磨料水射流选择性去除方法

摘要

本发明公开了一种反应烧结碳化硅表面残留物的磨料水射流选择性去除方法，属于碳化硅陶瓷素坯表面处理技术领域，其在一定的加工参数下，对碳化硅陶瓷素坯进行磨料水射流铣削，其中，所述的加工参数满足的条件是：磨料水射流的射流能量仅仅铣削掉硅而不足以去除碳化硅。本发明解决了现有技术中，依靠人工打磨反应烧结碳化硅表面残留物的耗费人力物力、加工效率低且工作环境恶劣等问题。本发明采用磨料水射流对反应烧结而成的碳化硅陶瓷素坯进行铣削加工，可以有效去除陶瓷表面残留的硅凸起，且对碳化硅陶瓷没有损伤。故本发明属于一种选择性表面处理技术。

主权项

1.反应烧结碳化硅表面残留物的磨料水射流选择性去除方法，其特征在于，在一定的加工参数下，对碳化硅陶瓷素坯进行磨料水射流铣削，其中，所述的加工参数满足的条件是：磨料水射流的射流能量仅仅铣削掉硅而不足以去除碳化硅；所述磨料水射流铣削加工参数如下：磨料流量：每小时消耗的磨料的质量，为25kg/h；磨料种类：为石榴石，磨料粒度为80目；喷射角度：水刀与工件表面所成的角度，为90度；水射流压力：100MPa；靶距：水射流喷嘴距离工件表面的距离，为60mm；喷嘴横移速度：喷嘴在加工方向上移动的速度，为1000mm/min；横向进给量：水射流一次铣削加工过程中，喷嘴沿着与横移速度方向垂直的方向移动的距离，为2mm；其最终获得的碳化硅陶瓷表面的表面粗糙度Ra<6.3μm；磨料喷嘴的两条射流中心轨迹保持一定间距的情况下，磨料喷嘴往返移动一个循环，将工件表面上一个射流加工区内的表面残留物去除，喷嘴每往复移动一次，沿着与喷嘴横移速度方向垂直的方向移动一定的距离，以实现整个碳化硅陶瓷素坯表面上的残留物的去除。