[发明专利]改变GaAs/AlGaAs中Rashba自旋轨道耦合随温度变化的方法有效
| 申请号： | 201710016992.0 | 申请日： | 2017-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN106654003B | 公开（公告）日： | 2019-04-02 |
| 发明（设计）人： | 俞金玲;曾晓琳;程树英;陈涌海;赖云锋;郑巧 | 申请（专利权）人： | 福州大学 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12 |
| 代理公司： | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人： | 蔡学俊 |
| 地址： | 350108 福建省福州市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种改变GaAs/AlGaAs二维电子气中Rashba自旋轨道耦合随温度变化趋势的方法，通过改变GaAs/AlGaAs二维电子气样品温度和入射激光波长有效调控了半导体二维电子气的Rashba自旋轨道耦合随温度变化趋势。本发明的方法调控效果显著，实施简便。 | ||
| 搜索关键词： | 改变 gaas algaas rashba 自旋 轨道 耦合 温度 变化 方法 | ||
【主权项】：
1.一种改变GaAs/AlGaAs中Rashba自旋轨道耦合随温度变化的方法，其特征在于：包括以下步骤：步骤S1：用分子束外延设备生长GaAs/AlGaAs半导体二维电子气样品，并沉积铟电极；步骤S2：调整光路，使激光光斑位于样品两个电极中间，激光的入射角度为30°；步骤S3：使入射激光波长为1064nm，将样品置于杜瓦瓶中，控制样品温度由77K至室温300K变化，测量样品随温度变化的Rashba自旋轨道耦合引起的圆偏振光致电流；步骤S4：使入射激光波长为532nm，将样品置于杜瓦瓶中，控制样品温度由77K至室温300K变化，测量样品随温度变化的Rashba自旋轨道耦合引起的圆偏振光致电流。
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