[发明专利]太阳能电池有效
申请号: | 201710017356.X | 申请日: | 2017-01-11 |
公开(公告)号: | CN107039542B | 公开(公告)日: | 2019-12-24 |
发明(设计)人: | 李洪哲;李承允;池光善;崔珉浩 | 申请(专利权)人: | LG电子株式会社 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/054 |
代理公司: | 11127 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人: | 李辉;刘久亮 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 公开了一种太阳能电池。该太阳能电池包括:晶体半导体基板,该晶体半导体基板包含第一导电类型的杂质;前掺杂层,该前掺杂层被设置在所述半导体基板的前表面上;后掺杂层,该后掺杂层被设置在所述半导体基板的后表面上;前透明导电层,该前透明导电层被设置在所述前掺杂层上并且具有第一厚度;前收集器电极,该前收集器电极被设置在所述前透明导电层上;后透明导电层,该后透明导电层被设置在所述后掺杂层下面并且具有第二厚度;以及后收集器电极,该后收集器电极被设置在所述后透明导电层下面。所述前透明导电层的所述第一厚度和所述后透明导电层的所述第二厚度彼此不同,并且所述前透明导电层的薄膜电阻小于所述后透明导电层的薄膜电阻。 | ||
搜索关键词: | 太阳能电池 | ||
【主权项】:
1.一种双面太阳能电池,该双面太阳能电池包括:/n晶体半导体基板,该晶体半导体基板包含第一导电类型的杂质并且具有前表面和与所述前表面相对的后表面;/n前掺杂层,该前掺杂层被设置在所述半导体基板的所述前表面上;/n后掺杂层,该后掺杂层被设置在所述半导体基板的所述后表面上;/n防反射层,该防反射层被设置在所述前掺杂层上并且具有第一厚度;/n前收集器电极,该前收集器电极被设置在所述防反射层上;/n反射层,该反射层被设置在所述后掺杂层下面并且具有第二厚度;以及/n后收集器电极,该后收集器电极被设置在所述反射层下面,/n其中,所述防反射层和所述反射层各自由透明导电层形成,所述透明导电层包括能够控制所述透明导电层的电学特性和光学特性的氧,并且/n其中,所述反射层的所述第二厚度小于所述防反射层的所述第一厚度,/n其中,所述防反射层的氧含量小于所述反射层的氧含量,因而,所述反射层的吸光率小于所述防反射层的吸光率,并且所述防反射层的薄膜电阻小于所述反射层的薄膜电阻,并且/n其中,形成被配置为反射在进入所述防反射层之后通过所述晶体半导体基板透射的光的所述反射层的所述透明导电层的所述第二厚度为25nm至75nm。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的