[发明专利]基板处理系统和方法有效
申请号: | 201710017381.8 | 申请日: | 2012-11-08 |
公开(公告)号: | CN106847736B | 公开(公告)日: | 2020-08-11 |
发明(设计)人: | T·佩德森;H·希斯尔迈尔;M·春;V·普拉巴卡;B·阿迪博;T·布卢克 | 申请(专利权)人: | 因特瓦克公司 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677;H01L21/68;H01L31/18 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 陈松涛;王英 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及一种基板处理系统和方法。具体地,一种用于处理基板的系统具有真空外壳和定位成处理在真空外壳内部的处理区中的晶片的处理室。提供两个轨道组件,一个轨道组件在处理区的每侧上。两个卡盘阵列每个在轨道组件之一骑行上,使得每个卡盘阵列在一个轨道组件上悬臂式伸展并支撑多个卡盘。轨道组件耦合到升高机构,其将轨道放置在用于处理的较高的位置上以及放置在用于返回卡盘组件的较低的位置处用于装载新晶片。拾取头组件将晶片从输送机装载到卡盘组件上。拾取头具有从晶片的正侧拾取晶片的多个静电卡盘。在处理卡盘中的冷却通道用于产生气垫以在由拾取头输送时帮助使晶片对齐。 | ||
搜索关键词: | 处理 系统 方法 | ||
【主权项】:
一种基板处理系统,包括:真空外壳;处理室,其附接到所述真空外壳并在所述真空外壳内限定处理区;第一轨道组件,其被安置于所述真空外壳内部在所述处理室的一侧上;第一升高机构,其耦合到所述第一轨道组件并被配置成将所述第一轨道组件提升到升高后的位置以及将所述第一升高组件降低到较低的位置;第二轨道组件,其被安置于所述真空外壳内部在所述第一轨道组件的相对侧上;第二升高机构,其耦合到所述第二轨道组件并被配置成将所述第二轨道组件提升到升高后的位置以及将所述第二升高组件降低到较低的位置;第一悬臂式架子,其被配置为骑行在所述第一轨道组件上;以及第二悬臂式架子,其被配置为骑行在所述第二轨道组件上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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