[发明专利]制造半导体装置的方法

摘要

本发明提供了一种制造半导体装置的方法。所述方法可包括以下步骤：蚀刻外围区上的本体图案以形成图案并且随后在单元区和外围区二者上形成层。所述方法可包括：形成从单元区延伸至外围区上的线图案；以及随后在单元区和外围区二者上形成层。

主权项

一种制造半导体装置的方法，包括步骤：在衬底上形成蚀刻目标层，所述衬底包括单元区和外围区；在蚀刻目标层上形成多个第一图案和初级图案，所述多个第一图案形成在单元区上，所述多个第一图案中的每一个具有第一宽度，并且初级图案形成在外围区上；在所述多个第一图案和所述初级图案上共形地形成间隔件层；在间隔件层上形成多个第一掩模图案，所述多个第一掩模图案中的第一个形成在单元区上，并且所述多个第一掩模图案中的第二个和第三个位于外围区上并暴露出间隔件层的一些部分；利用所述多个第一掩模图案作为蚀刻掩模对外围区上的间隔件层和初级图案进行蚀刻，以在外围区上形成多个第二图案；在所述多个第一图案和所述多个第二图案上形成第一层；蚀刻第一层和间隔件层直至暴露出所述多个第一图案和所述多个第二图案的顶表面，以在单元区上形成多个第三图案和多个间隔件；以及各向异性地蚀刻所述多个间隔件，以形成暴露出所述多个第一图案和所述多个第三图案的侧表面的多个开口。