[发明专利]一种高效热电转换特性的ZnSb基薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 201710018323.7 | 申请日： | 2017-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN106893977B | 公开（公告）日： | 2019-05-14 |
| 发明（设计）人： | 郑壮豪;范平;梁广兴;罗景庭 | 申请（专利权）人： | 深圳大学 |
| 主分类号： | C23C14/18 | 分类号： | C23C14/18;C23C14/35;C23C14/46 |
| 代理公司： | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人： | 王永文;刘文求 |
| 地址： | 518060 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种高效热电转换特性的ZnSb基薄膜及其制备方法，方法包括步骤：采用等离子束，对原ZnSb基薄膜进行轰击，通过控制等离子束轰击参量，得到高效热电转换特性的ZnSb基薄膜。本发明采用等离子束轰击薄膜，代替传统的热处理工艺，不仅能够保证薄膜关键元素的化学成分，同时可以对ZnSb基薄膜的微结构进行控制，通过有效的薄膜结构优化，以此提高ZnSb基薄膜的热电特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高效 热电 转换 特性 znsb 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种高效热电转换特性的ZnSb基薄膜的制备方法，其特征在于，包括步骤：采用等离子束，对原ZnSb基薄膜进行轰击，通过控制等离子束轰击参量，得到高效热电转换特性的ZnSb基薄膜；所述等离子束轰击参量包括等离子束能量、加速极电压、束流和轰击时间中的一种或多种，其中控制等离子束能量为0.1KeV～0.8KeV，加速极电压为150V ~250V，束流为0.1mA～1mA，轰击时间为1min~60min；所述等离子束为惰性气体组成的等离子束；采用等离子束轰击原ZnSb基薄膜代替传统的薄膜热处理工艺，可避免Zn在中高温退火过程中的流失，不影响薄膜的成分，保证了薄膜具有稳定的化学成分。
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