[发明专利]一种低温烧结低介C0G微波介质材料及其制备方法

摘要

本发明涉及微波介质材料技术领域，具体涉及一种低温烧结低介电常数C0G特性微波介质材料，主料为BaSi₂O₅；副料为Zn₂SiO₄；改性添加剂为Al₂O₃、MnO、CeO₂、CoO、Nb₂O₅、ZrO₂的一种或多种；烧结助剂为B₂O₃、SiO₂、ZnO、Li₂CO₃、MgO中的一种或多种。能够在较低温度(850～950℃)下烧结，陶瓷粉具备成分均一、粒度分布窄、分散性好、成型性工艺好，烧结后瓷体致密、无杂质和缺陷少，其相对介电常数在10±2系列变化、室温损耗角正切＜4×10^‑4、绝缘电阻>1×10¹²Ω、容量温度特性稳定、品质因数Q·f值高。

主权项

1.一种低温烧结低介电常数C0G特性微波介质材料，其特征在于，包括：主料、副料、改性添加剂和烧结助剂；其中，所述主料BaSi₂O₅为65～85份；所述副料Zn₂SiO₄为2～10份；所述改性添加剂为Al₂O₃ 0～4份、MnO 0.1～0.5份、CeO₂ 0～0.5份、CoO 0.1～1份、Nb₂O₅ 0～5份、ZrO₂ 0～4份；所述烧结助剂为B₂O₃、SiO₂、ZnO、Li₂CO₃、MgO中的一种或多种，所述烧结助剂共6～20份。