[发明专利]衬底处理设备以及衬底处理方法有效
| 申请号： | 201710019732.9 | 申请日： | 2017-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN107017187B | 公开（公告）日： | 2021-12-14 |
| 发明（设计）人： | 李昞日;金俊浩;赵相铉;刘云锺 | 申请（专利权）人： | AP系统股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/673 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 杨文娟;臧建明 |
| 地址： | 韩国京畿道华城市*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种衬底处理设备以及一种应用于衬底处理设备的衬底处理方法。衬底处理设备包含：腔室，具有用于在其中处理衬底的空间；致动模块，穿过并延伸到腔室中；夹盒模块，安装在致动模块的一侧上、具有至少一个开放侧表面，且具有能够装载多个衬底的空间；以及加热部件，在面向容纳在夹盒模块中的多个衬底中的每一个的多个位置处在第一方向上延伸。应用于衬底处理设备的衬底处理方法可同时除气多个衬底且可在除气期间均匀地加热每一衬底。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 处理 设备 以及 方法 | ||
【主权项】：
一种衬底处理设备，其特征在于包括：腔室，具有用于在其中处理衬底的空间；致动模块，穿过并延伸到所述腔室中；以及夹盒模块，安装在所述腔室内部的所述致动模块上且具有经调适能够将多个所述衬底装载其中的多个衬底支撑部分，其中所述夹盒模块包含提供在多个所述衬底之间的板形的加热部件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
