[发明专利]一种半导体器件及其制作方法有效
| 申请号： | 201710019827.0 | 申请日： | 2017-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN106707715B | 公开（公告）日： | 2019-05-21 |
| 发明（设计）人： | 张学军;张志宇;薛栋林;王孝坤;程强 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 主分类号： | G03H1/04 | 分类号： | G03H1/04;G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 130033 吉林省长春市*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本申请提供一种半导体器件及其制作方法，在形成刻蚀膜之前增加一层截止膜，截止膜的刻蚀速率低于刻蚀膜的速率。在对刻蚀膜进行刻蚀时，刻蚀速率快的部分，刻蚀膜首先被刻蚀完成，此时开始刻蚀截止膜；而刻蚀速率较小的部分继续刻蚀刻蚀膜，由于截止膜的刻蚀速率低于刻蚀膜的刻蚀速率，因此，刻蚀膜被刻蚀较快的部分在截止膜部分等待刻蚀较慢的部分到达截止膜。当刻蚀较慢的刻蚀膜被刻蚀掉时，结束整个刻蚀加工过程，以形成计算全息图。本发明提供的半导体器件制作方法中将刻蚀膜的刻蚀深度均匀性转化为刻蚀膜的生长均匀性，刻蚀膜的生长均匀性相对于刻蚀膜的刻蚀深度均匀性更容易实现，从而降低了半导体器件的制作工艺对刻蚀设备精度的要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：提供基板；在所述基板的一个表面形成截止膜；在所述截止膜背离所述基板的表面制作形成刻蚀膜；对所述刻蚀膜进行刻蚀，以形成计算全息图；其中，所述截止膜的刻蚀速率低于所述刻蚀膜的刻蚀速率；所述截止膜的刻蚀速率与所述刻蚀膜的刻蚀速率比小于1/100。
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