[发明专利]一种巨介电低损耗CCTO基陶瓷材料及其制备方法

摘要

本发明涉及一种具有巨介电常数、低介电损耗的CaCu3Ti4O12基陶瓷介质材料，由主料和晶界层改性剂M组成；主料化学组成为Ca1‑xAxCuyTi4‑zBzO12，其中A位掺杂元素为Mg、La、Cr、Ni中的一种或多种，替代Ca；B位掺杂元素为Al、Zr、Nb、Ta中的一种或多种，替代Ti；其中0≤x≤0.2、2.9≤y≤3.1、0≤z≤0.3；按质量份计，晶界层改性剂M中SiO2为0～10份、Bi2O3为0～5份、ZnO为0～6份、CaTiO3为0～5份、MgTiO3为0～5份中的一种或多种的组合。通过A位和B位共同掺杂及晶界层改性提高了材料的介电常数、降低了介电损耗。

主权项

一种具有巨介电常数、低介电损耗的CaCu3Ti4O12基陶瓷材料，其特征在于，由主料和晶界层改性剂M组成；所述主料为Ca1‑xAxCuyTi4‑zBzO12，A位掺杂元素为Mg、La、Cr、Ni中的一种或多种的组合，部分替代Ca；B位掺杂元素为Al、Zr、Nb、Ta中的一种或多种的组合，部分替代Ti，其中0≤x≤0.2、2.9≤y≤3.1、0≤z≤0.3；按质量份计，所述晶界层改性剂M为SiO2 0～10份、Bi2O3 0～5份、ZnO 0～6份、CaTiO3 0～5份、MgTiO3 0～5份中的一种或多种的组合，添加改性剂总质量分数m为0～10份。