[发明专利]一种p‑GaN增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管在审
| 申请号： | 201710021098.2 | 申请日： | 2017-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN106783962A | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 段宝兴;郭海君;谢慎隆;袁嵩;杨银堂 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/778 |
| 代理公司： | 西安智邦专利商标代理有限公司61211 | 代理人： | 胡乐 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有部分本征GaN帽层的P‑GaN增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管。这种晶体管结构是在晶体管栅极及其p型GaN介质层边缘引入本征GaN帽层，该本征GaN帽层会降低该区域导电沟道的二维电子气浓度，实现电场调制效应。通过产生新的电场峰，降低了栅边缘的高电场，使晶体管表面的电场分布更加均匀。与传统p‑GaN增强型结构相比，新型结构的击穿电压和可靠性有了明显的提高与改善。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan 增强 algan 电子 迁移率 晶体管 | ||
【主权项】：
一种p‑GaN增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管，包括：半绝缘衬底；位于所述半绝缘衬底上异质外延生长的AlN成核层；位于所述AlN成核层上生长的GaN缓冲层；位于所述GaN缓冲层上生长的AlGaN势垒层；分列于所述AlGaN势垒层上的源极、p型GaN介质层以及漏极；位于所述p型GaN介质层上的栅极；其特征在于：在AlGaN势垒层上还外延生长有与p型GaN介质层边缘邻接的本征GaN帽层，所述本征GaN帽层部分覆盖或者完全覆盖栅极和漏极之间的区域，其长度与对沟道2DEG浓度调制的需要有关。
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