[发明专利]静电放电钳位器件以及静电放电钳位电路有效
| 申请号： | 201710022587.X | 申请日： | 2017-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN108305873B | 公开（公告）日： | 2021-01-29 |
| 发明（设计）人： | 谷欣明;陈捷 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/06 | 分类号： | H01L27/06 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种静电放电钳位器件以及静电放电钳位电路，在所述静电放电钳位器件中，衬底上具有两个以上相隔离的阱区；在每一个所述阱区中，包括依次间隔排列的第一掺杂区、第二掺杂区和第三掺杂区；在不同的所述阱区之间，第一个所述阱区中的第一掺杂区连接一第一电源线，最后一个所述阱区中的第三掺杂区连接一第二电源线，前一所述阱区中的第三掺杂区连接后一所述阱区中的第一掺杂区。所述静电放电钳位器件以及静电放电钳位电路具有反向保护能力，可以提高静电放电钳位器件的鲁棒性。 | ||
| 搜索关键词： | 静电 放电 器件 以及 电路 | ||
【主权项】：
1.一种静电放电钳位器件，其特征在于，包括：衬底；所述衬底上具有两个以上相隔离的阱区；在每一个所述阱区中，包括依次间隔排列的第一掺杂区、第二掺杂区和第三掺杂区；在不同的所述阱区之间，第一个所述阱区中的第一掺杂区连接一第一电源线，最后一个所述阱区中的第三掺杂区连接一第二电源线，前一所述阱区中的第三掺杂区连接后一所述阱区中的第一掺杂区；其中，所述衬底、第一掺杂区和第三掺杂区为第一导电类型，所述阱区和第二掺杂区为第二导电类型。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
