[发明专利]阻变随机存储器存储单元及其制作方法、电子装置在审
| 申请号： | 201710022652.9 | 申请日： | 2017-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN108305936A | 公开（公告）日： | 2018-07-20 |
| 发明（设计）人： | 宋以斌 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;张建 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种阻变随机存储器存储单元及其制作方法、电子装置，该阻变随机存储器存储单元的制作方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成层叠结构，所述层叠结构包括交错层叠的第一电极层和隔离层；在所述层叠结构的侧壁上形成阻变层；至少在所述阻变层的侧壁上形成第二电极层，从而形成多个存储单元。该阻变随机存储器存储单元的制作方法可以提高存储密度，改善持久性和存储器窗口。该阻变随机存储器存储单元及电子装置具有类似的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 存储单元 随机存储器 层叠结构 电子装置 阻变层 制作 侧壁 衬底 半导体 第二电极 第一电极 交错层叠 存储器 持久性 隔离层 存储 | ||
【主权项】：
1.一种阻变随机存储器存储单元的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成层叠结构，所述层叠结构包括交错层叠的第一电极层和隔离层；在所述层叠结构的侧壁上形成阻变层；至少在所述阻变层的侧壁上形成第二电极层，从而形成多个存储单元。
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