[发明专利]一种锑硒硫合金薄膜的制备方法

摘要

一种锑硒硫合金薄膜的制备方法，属于半导体光电材料及薄膜制备方法，解决现有锑硒硫合金薄膜的掺杂深度不够、掺杂后导致晶格缺陷及设备要求过高的问题。本发明包括掺杂步骤和制备薄膜步骤，直接将所需的掺杂元素的单质、硒化物或者硫化物与锑硒硫合金粉末混合烧结，得到掺杂的锑硒硫合金粉末，不仅可以根据掺杂浓度的要求改变掺杂元素在锑硒硫合金粉末中的含量比例，而且可以同时掺入多种元素，更加精确的控制掺杂浓度及掺杂类型；运用掺杂的锑硒硫合金粉末，制备高电导率的锑硒硫合金薄膜，具有更加均匀的掺杂浓度，不需要额外的退火工艺即可得到符合要求的掺杂效果，晶体结构缺陷小于传统掺杂方法，而且对设备的要求更低。

主权项

1.一种锑硒硫合金薄膜制备方法，包括掺杂步骤和制备薄膜步骤，其特征在于：(1)掺杂步骤：按照摩尔比1：100～1：1000000，将掺杂元素掺入Sb2(Sex,S1‑x)3合金粉末中，混合均匀并烧结，形成掺杂粉末；其中x为阴离子中Se的摩尔分数，1‑x为阴离子中S的摩尔分数，0≤x≤1；所述掺杂元素为下述三类组分中的一类或多类：(1.1)I、Sn、Zn、Ca、Na、K元素的单质中的一种或多种；(1.2)上述元素的硒化物；(1.3)上述元素的硫化物；掺杂元素中，不包括同一元素的单质和该元素的硒化物、同一元素的单质和该元素的硫化物、以及同一元素的硒化物和硫化物；(2)制备薄膜步骤：将所述掺杂粉末作为前驱体，利用磁控溅射、电子束蒸发、热蒸发或近空间升华方法，制备掺杂的锑硒硫合金薄膜。