[发明专利]一种三维环磁偶极器件及制备方法在审
申请号: | 201710025562.5 | 申请日: | 2017-01-13 |
公开(公告)号: | CN106785294A | 公开(公告)日: | 2017-05-31 |
发明(设计)人: | 刘哲;李俊杰;顾长志;杜硕 | 申请(专利权)人: | 中国科学院物理研究所 |
主分类号: | H01P7/10 | 分类号: | H01P7/10;H01P11/00 |
代理公司: | 北京智汇东方知识产权代理事务所(普通合伙)11391 | 代理人: | 范晓斌,薛峰 |
地址: | 100190 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种三维环磁偶极器件及制备方法,涉及三维环磁偶极器件技术领域。所述三维环磁偶极器件由多个结构单元阵列形成。每一结构单元包括自支撑绝缘介质薄膜、悬空部和金属开口谐振环。自支撑绝缘介质薄膜用于作为支撑基础。悬空部由自支撑绝缘介质薄膜切割折叠而成,数量为偶数且不少于四个。对应的悬空部与自支撑绝缘介质薄膜之间形成角度。金属开口谐振环的数量与悬空部的数量相等,一一对应的设置于悬空部的侧表面,用于束缚磁场,产生磁偶极。磁偶极首尾相连形成一个闭合环路,用于实现环磁偶极共振。采用本发明的三维环磁偶极器件,具有尺寸小、共振频率高、品质因子高、可控性好、成本低、可大面积制备等特点。 | ||
搜索关键词: | 一种 三维 环磁偶极 器件 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种三维环磁偶极器件,由多个结构单元阵列形成,每一结构单元包括:自支撑绝缘介质薄膜,用于作为支撑基础;悬空部,由所述自支撑绝缘介质薄膜切割折叠而成,数量为偶数且不少于四个,固定于所述自支撑绝缘介质薄膜的同一侧面,对应的悬空部与所述自支撑绝缘介质薄膜之间形成角度;和金属开口谐振环,数量与所述悬空部的数量相等,一一对应的设置于悬空部的侧表面,用于束缚磁场,产生磁偶极,所述磁偶极首尾相连形成一个闭合环路,所述闭合环路用于实现环磁偶极共振。
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