[发明专利]电流源的启动电路及电压源的启动电路有效

专利信息
申请号: 201710026331.6 申请日: 2017-01-13
公开(公告)号: CN107404312B 公开(公告)日: 2020-11-27
发明(设计)人: 李小勇;李旋 申请(专利权)人: 上海韦玏微电子有限公司;上海料聚微电子有限公司
主分类号: H03K17/687 分类号: H03K17/687
代理公司: 上海弼兴律师事务所 31283 代理人: 薛琦;张冉
地址: 201203 上海市浦东*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种电流源的启动电路及电压源的启动电路。其中电流源的启动电路,包括第一NMOS管、第二NMOS管、第一PMOS管和反相器;第一NMOS管的栅极和第一PMOS管的栅极分别与电流源的第一节点连接,第一NMOS管的漏极和第一PMOS管漏极相连且分别与反相器的输入端连接,第一NMOS管的源极接地,第一PMOS管的源极接电源,反相器的输出端与第二NMOS管的栅极连接,第二NMOS管的源极接地,第二NMOS管的漏极与电流源的第二节点连接。本发明能够检测电流源或电压源是否正常启动,并在电流源或电压源未正常启动时,通过电路控制使得电流源或电压源正常启动,保证整个电路的正常运行。
搜索关键词: 电流 启动 电路 电压
【主权项】:
一种电流源的启动电路,其特征在于,所述电流源包括第一节点和第二节点,所述第一节点和所述第二节点在所述电流源未正常启动时为高电平;所述启动电路用于检测所述第一节点的电平,并在所述第一节点为高电平时拉低所述第二节点的电平,以增加所述电流源的输出电流直至所述电流源正常启动;所述启动电路包括第一NMOS管、第二NMOS管、第一PMOS管和反相器;所述第一NMOS管的栅极和所述第一PMOS管的栅极分别与所述第一节点连接,所述第一NMOS管的漏极和所述第一PMOS管漏极相连且分别与所述反相器的输入端连接,所述第一NMOS管的源极接地,所述第一PMOS管的源极接电源,所述反相器的输出端与所述第二NMOS管的栅极连接,所述第二NMOS管的源极接地,所述第二NMOS管的漏极与所述第二节点连接。
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