[发明专利]CMOS‑MEMS结构

摘要

本发明提供了一种制造CMOS‑MEMS结构的方法。该方法包括在盖衬底的第一表面上蚀刻空腔；将盖衬底的第一表面与感测衬底接合；减薄感测衬底的第二表面，第二表面与感测衬底的接合至盖衬底的第三表面相对；蚀刻感测衬底的第二表面；图案化感测衬底的第二表面的一部分以形成多个接合区域；在多个接合区域上沉积共晶金属层；蚀刻感测衬底的空腔下方的一部分以形成可移动元件；以及通过共晶金属层将感测衬底接合至CMOS衬底。本发明的实施例还涉及CMOS‑MEMS结构。

主权项

一种CMOS‑MEMS结构，包括：盖衬底，包括空腔；感测衬底，包括多个接合区域，所述感测衬底和所述多个接合区域由未掺杂的半导体材料组成；共晶金属层，位于所述多个接合区域上方；以及CMOS衬底，通过所述共晶金属层连接至所述感测衬底；其中，所述盖衬底熔融接合至所述感测衬底，并且所述未掺杂的半导体材料物理地连接至所述共晶金属层。