[发明专利]功率元件有效
申请号: | 201710030434.X | 申请日: | 2017-01-16 |
公开(公告)号: | CN108321201B | 公开(公告)日: | 2021-03-30 |
发明(设计)人: | 罗国轩;黄宗义 | 申请(专利权)人: | 立锜科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L29/78 | 分类号: | H01L29/78 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 张一军;赵静 |
地址: | 中国台湾新*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 一种功率元件,其中包含:作用层,包含本体区以及漂移区,本体区与漂移区于横向上邻接,并沿通道宽度方向形成PN接面,作用层具有上表面;栅极,形成于上表面上,PN接面位于栅极正下方;源极区,形成于本体区与上表面间的作用层中;漏极区,形成于漂移区与上表面间的作用层中;第一电性连接结构,形成于上表面上,用以电连接源极区;导电层,形成于第一电性连接结构上,且通过第一电性连接结构以电连接源极区;以及第二电性连接结构,形成于上表面上,于纵向上,介于漂移区与导电层之间,用以电连接漂移区与导电层,且第二电性连接结构与漂移区形成肖特基二极管。 | ||
搜索关键词: | 功率 元件 | ||
【主权项】:
1.一种功率元件,其特征在于,包含:一作用层,包含一本体区以及一漂移区,该本体区具有一第一导电型,该漂移区具有一第二导电型,该本体区与该漂移区于一横向上邻接,并沿一通道宽度方向形成一PN接面,该作用层具有一上表面;一栅极,形成于该上表面上,于一纵向上,该PN接面位于该栅极正下方;一源极区,具有该第二导电型,形成于该本体区与该上表面间的该作用层中;一漏极区,具有该第二导电型,形成于该漂移区与该上表面间的该作用层中;一第一电性连接结构,形成于该上表面上,用以电连接该源极区;一导电层,形成于该第一电性连接结构上,且通过该第一电性连接结构以电连接该源极区;以及一或多个第二电性连接结构,形成于该上表面上,于该纵向上,介于该漂移区与该导电层之间,用以电连接该漂移区与该导电层,且该第二电性连接结构与该漂移区形成至少一肖特基二极管;其中,于该横向上,该第一电性连接结构与该第二电性连接结构位于该栅极的两侧。
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