[发明专利]一种石斛盆栽种植方法在审
申请号: | 201710031483.5 | 申请日: | 2017-01-17 |
公开(公告)号: | CN106818158A | 公开(公告)日: | 2017-06-13 |
发明(设计)人: | 何三华;严结来 | 申请(专利权)人: | 太湖县光华农业科技有限公司 |
主分类号: | A01G1/00 | 分类号: | A01G1/00;A01G31/02 |
代理公司: | 合肥市浩智运专利代理事务所(普通合伙)34124 | 代理人: | 王志兴 |
地址: | 246400 安徽省*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明公开了一种石斛盆栽种植方法,包括以下步骤栽培容器的选择及处理,石斛种苗预处理,种苗移栽,光照、温度、湿度、浇水、施肥及病虫害防治的管理。本发明的优点在于提供了一种采用有机质栽培技术,栽培不用化肥、激素和农药,且可作为盆景的石斛盆栽种植方法;其中(1)不用化肥、激素和农药,不污染环境,绿色环保;(2)栽培容器底部开有排水孔,配以底部平铺的一层石灰岩碎石,使石斛生长过程中透气排水,不易烂根;(3)瓶苗移栽时,先将根部放在空穴中固定好位置,然后在石斛苗的周围再次填充一层栽培基质,既固定了石斛,又因为空穴位置的可选择性,使其空间分布布局得以完善化。 | ||
搜索关键词: | 一种 石斛 盆栽 种植 方法 | ||
【主权项】:
一种石斛盆栽种植方法,其特征在于,包括如下步骤:(1)栽培容器的选择及处理选择长、宽、高分别为20‑30cm、15‑20cm、15‑20cm的陶瓷盆作为栽培容器,在其底部开2‑3个排水孔;待排水孔开好后,在陶瓷盆的最底部平铺上一层石灰岩碎石,紧接着,于石灰岩碎石上再平铺上一层已留有2‑4个空穴的栽培基质;(2)石斛种苗预处理用清水洗去石斛种苗根部的培养基,洗净为止,洗净后将种苗置于阴凉处,晾至其表面不带有水滴;(3)种苗移栽①待洗过的苗根放露天阴凉处晾至发白,把根系分开;②将石斛种苗的根部放在空穴中固定好位置,然后在石斛苗的周围再次填充一层栽培基质;③再在新铺的栽培基质上铺上刨花、锯末混合物;(4)管理①光照:盆栽放在阴凉通风处,在晒太阳时需遮光,夏天切忌阳光直射;②温度:生长温度维持为25℃‑30℃;③湿度:保持在60%以上;④浇水:选择水质偏弱酸性的水作为浇灌水,夏秋时2‑3天浇一次水,冬季时10‑15天浇一次水;⑤施肥:每年4‑10月的生长期内,25‑30天施一次肥;⑥病虫害防治:预防为主,保证盆栽要通风良好。
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