[发明专利]可变电阻式存储器及形成方法在审
| 申请号： | 201710032325.1 | 申请日： | 2017-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN108321293A | 公开（公告）日： | 2018-07-24 |
| 发明（设计）人： | 易亮;许加庆;王献德;陈克基 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台湾*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种可变电阻式存储器及形成方法。该可变电阻式存储器包含有下述步骤。首先，形成一第一介电层于一第一电极层上。接着，形成一第二介电层于第一介电层上，其中第二介电层包含一第一凹槽。接续，形成间隙壁于第一凹槽的侧壁。而后，移除此些间隙壁暴露出的部分第一介电层，因而在第一介电层中形成一第二凹槽。其后，填入一电阻材料于第二凹槽中。然后，移除第二介电层以及此些间隙壁。之后，形成一第二电极层于电阻材料以及第一介电层上。另外，本发明更提供一种以此方法形成的可变电阻式存储器。 | ||
| 搜索关键词： | 介电层 可变电阻式 存储器 间隙壁 电阻材料 移除 第二电极 第一电极 侧壁 电层 填入 接续 暴露 | ||
【主权项】：
1.一种形成可变电阻式存储器的方法，包含有：形成一第一介电层于一第一电极层上；形成一第二介电层于该第一介电层上，其中该第二介电层包含一第一凹槽；形成间隙壁于该第一凹槽的侧壁；移除该些间隙壁暴露出的部分该第一介电层，因而在该第一介电层中形成一第二凹槽；填入一电阻材料于该第二凹槽中；移除该第二介电层以及该些间隙壁；以及形成一第二电极层于该电阻材料以及该第一介电层上。
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