[发明专利]一种制备氢氧化钴修饰二氧化钛光阳极的方法在审
申请号: | 201710033061.1 | 申请日: | 2017-01-18 |
公开(公告)号: | CN106906488A | 公开(公告)日: | 2017-06-30 |
发明(设计)人: | 刘长海;王芳;陈智栋 | 申请(专利权)人: | 常州大学 |
主分类号: | C25B11/06 | 分类号: | C25B11/06;C25B11/10;C25D9/08 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 213164 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了氢氧化钴修饰二氧化钛光阳极材料的方法。该方法采用阳极氧化法制备二氧化钛光阳极,将二氧化钛纳米管电极表面通过三电极体系电沉积氢氧化钴,使氢氧化钴沉积在二氧化钛纳米管的管壁及管径内,得到氢氧化锌复合的二氧化钛光阳极,提高其光电流。由于该方法在常温下进行,反应容易控制,且沉积效果较好。 | ||
搜索关键词: | 一种 制备 氢氧化 修饰 氧化 阳极 方法 | ||
【主权项】:
一种氢氧化钴修饰二氧化钛光阳极的方法,其特征在于,采用常温下电沉积的方法,使阳极氧化的二氧化钛光阳极管壁管径内沉积氢氧化钴,提高其光电性能,其特征在于,包括以下步骤:步骤1)阳极氧化的工作电极采用纯钛片,对电极为碳棒,以含氟化铵,水,乙二醇的有机溶液为电解液,施加电压,阳极氧化二氧化钛。步骤2)电沉积氢氧化钴采用在酸性硝酸钴水溶液中,以二氧化钛为工作电极,铂片为对电极,银氯化银电极为参比电极,在常温搅拌下施加电压,得到沉积氢氧化钴的二氧化钛光阳极。
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