[发明专利]具有衬底内复合介质层结构的氮化镓异质结场效应管有效
| 申请号： | 201710033229.9 | 申请日： | 2017-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN106783993B | 公开（公告）日： | 2019-08-02 |
| 发明（设计）人： | 杜江锋;蒋知广;白智元;于奇 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/772 | 分类号： | H01L29/772;H01L29/06 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有衬底内复合介质层结构的氮化镓异质结场效应管，涉及微电子领域。本发明基于现有典型氮化镓基异质结场效应管结构，在其背部衬底内设置由高介电常数介质区域和低介电常数介质区域构成的复合基质层，通过合理控制高介电常数介质区域和低介电常数介质区域形成复合交界面的参数以改善栅极和漏极之间二维电子气沟道电场分布的均匀性，进而实现提高器件耐压能力；本发明还能够克服现有技术采用表面场板结构限制器件的高频应用及开关特性的不足，减小了芯片面积与成本；同时，本发明所采用的复合介质层为电绝缘介质材料，能够有效地降低衬底与欧姆接触之间的泄露电流，从而进一步提高器件的击穿电压，以保证器件的安全性和稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 衬底 复合 介质 结构 氮化 镓异质结 场效应 | ||
【主权项】：
1.一种具有衬底内复合介质层结构的氮化镓异质结场效应管，包括衬底(307)，设于所述衬底(307)上的氮化镓缓冲层(306)，设于所述氮化镓缓冲层(306)上的氮化镓沟道层(305)以及设于所述氮化镓沟道层(305)上的氮化镓铝势垒层(304)，所述氮化镓铝势垒层(304)上形成有源极(301)、漏极(302)和栅极(303)，其特征在于，所述衬底(307)内设置有复合介质层，所述复合介质层的顶面与氮化镓缓冲层(306)的底面相接触；所述复合介质层由相互接触设置的高介电常数介质区域(309)和低介电常数介质区域(310)组成，所述高介电常数介质区域(309)和低介电常数介质区域(310)形成接触面的方向包括与氮化镓沟道层(305)相垂直的方向；所述复合介质层位于与氮化镓铝势垒层(304)上栅极(303)和漏极(302)之间的区域相对应的衬底(307)中。
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