[发明专利]一种高精度NTC热敏电阻芯片的制造方法

摘要

本发明公开了一种高精度NTC热敏电阻芯片的制造方法，包括以下步骤：1）按照化学式Mn_{3‑x‑y‑z}Ni_xFe_yCo_zQ_tO₄称量对应的金属氧化物，混合球磨，低温煅烧，球磨破碎，高温煅烧，得到热敏陶瓷粉体；2）对热敏陶瓷粉体进行球磨，加入有机粘结剂，干燥、造粒、过筛，得到成型粉体；3）对成型粉体进行干压成型和等静压成型，得到成型坯块；4）将成型坯块加入气氛炉，在弱氧化性气氛下烧结，得到烧结块；5）将烧结块切成薄片，被银或金电极，进行热处理，将薄片划成所需尺寸，得到高精度NTC热敏电阻芯片。本发明通过控制烧结过程中的氧分压来抑制FeMnNiO₄的分解，并通过在预烧前引入低温煅烧来减少成份偏析，生产工艺过程容易控制，芯片阻值和B值合格率高，可靠性高。

主权项

1.一种高精度NTC热敏电阻芯片的制造方法，其特征在于：包括以下步骤：/n1)按照化学式Mn_3-x-y-zNi_xFe_yCo_zQ_tO₄称量对应的金属氧化物，混合球磨，低温煅烧，球磨破碎，高温煅烧，得到热敏陶瓷粉体；/n2)对热敏陶瓷粉体进行球磨，加入有机粘结剂，造粒，过筛，得到成型粉体；/n3)对成型粉体进行干压成型和等静压成型，得到成型坯块；/n4)将成型坯块加入气氛炉，在弱氧化性气氛下烧结，得到烧结块；/n5)将烧结块切成薄片，被银或金电极，进行热处理，将薄片划成所需尺寸，得到高精度NTC热敏电阻芯片；/n步骤1)所述的Q为Al、Cu、Zr、La、Zn中的一种，0＜t＜1，x＞0，y＞0，z＞0，且0＜x+y+z＜3；/n步骤1)所述的低温煅烧的温度为400～700℃；/n步骤1)所述的高温煅烧的温度为800～1100℃；/n步骤3)所述的干压成型的成型压力为40MPa～60MPa，保压时间为1～5min；/n步骤3)所述的等静压成型的静压压力为200MPa～400MPa，保压时间为1～5min；/n步骤4)中弱氧化性气氛下烧结的步骤为：控制氧气通入量为0.1～10L/min，以1～15℃/min的升温速率升温至1000～1400℃，保温0.5～4h，以1～5℃/min的降温速率降温至400～600℃，自然冷却至室温；/n步骤5)中热处理的步骤为：以5～15℃/min的升温速率升温至550～850℃，保温1～24h，自然冷却至室温。/n