[发明专利]一种磁场均匀增强的近场光学天线

摘要

本发明公开了一种磁场均匀增强的近场光学天线，属于光电子及光通讯技术领域。本发明的技术方案要点为：一种磁场均匀增强的近场光学天线，包括介质层及设置于介质层上的金属结构，金属结构为回字型结构，该回字型结构包括间断式矩形内腔和间断式矩形外腔，其中间断式矩形内腔与间断式矩形外腔之间的间距为35nm，间断式矩形内腔由四个第一L形纳米金属体和四个第一矩形纳米金属体组成，间断式矩形外腔由四个第二L形纳米金属体和八个第二矩形纳米金属体组成。本发明设计思路简单，集成性好，使用范围广，可根据不同材料的特性设计不同波段的近场光学天线，特别是用半导体材料设计光通讯波段的光电子器件具有更重要的实用价值。

主权项

一种磁场均匀增强的近场光学天线，包括介质层及设置于介质层上的金属结构，其特征在于：所述的金属结构为回字型结构，该回字型结构包括间断式矩形内腔和间断式矩形外腔，其中间断式矩形内腔与间断式矩形外腔之间的间距为35nm，所述的间断式矩形内腔由四个第一L形纳米金属体和四个第一矩形纳米金属体组成，其中四个第一L形纳米金属体构成间断式矩形内腔的四个边角，该四个第一L形纳米金属体的短边水平相对且长边竖直相对，四个第一矩形纳米金属体分别对应设置于第一L形纳米金属体相对的长边及短边之间，该第一矩形纳米金属体与两侧相邻的第一L形纳米金属体之间的间距为25nm，所述的间断式矩形外腔由四个第二L形纳米金属体和八个第二矩形纳米金属体组成，其中四个第二L形纳米金属体构成间断式矩形外腔的四个边角，该四个第二L形纳米金属体的短边水平相对且长边竖直相对，八个第二矩形纳米金属体分别对应设置于第二L形纳米金属体相对的长边及短边之间，该第二矩形纳米金属体与相邻的第二L形纳米金属体之间的间距及相邻的第二矩形纳米金属体之间的间距均为25nm。