[发明专利]具有非易失性存储器压力抑制的集成电路系统及制造方法有效
| 申请号： | 201710037064.2 | 申请日： | 2014-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN106710623B | 公开（公告）日： | 2020-10-27 |
| 发明（设计）人： | 北川真;对马朋人;大塚渉;囯广恭史 | 申请（专利权）人： | 索尼半导体解决方案公司 |
| 主分类号： | G11C11/4063 | 分类号： | G11C11/4063 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 张鑫 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开内容涉及具有非易失性存储器压力抑制的集成电路系统及制造方法。一种集成电路系统及其制造方法，包括：集成电路管芯；集成电路管芯中的非易失性存储器单元，所述非易失性存储器单元具有用于读取该非易失性存储器单元的数据条件状态的位线；以及集成电路管芯中的电压箝，所述电压箝具有连接到所述位线的、用于减小所述位线上的电压偏移的半导体开关。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 非易失性存储器 压力 抑制 集成电路 系统 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种存储装置，包括：存储器阵列，被配置为包括多个存储器单元；控制器，被配置为经由多个字线连接所述存储器阵列；接口，被配置为经由多个位线连接所述存储器阵列；以及限制器，被配置为连接所述多个位线，以及当每个存储器单元在高电阻状态下被读取时将电压限制或箝位为预定阈值水平。
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