[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201710037076.5 | 申请日： | 2017-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN108336138B | 公开（公告）日： | 2021-02-09 |
| 发明（设计）人： | 蔡建祥;王鷁奇;赵伟立;杨晓芳;贾敬国 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/73 | 分类号： | H01L29/73;H01L27/07;H01L21/8249;H01L21/331 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 曲瑞 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体装置及其制造方法，涉及半导体技术领域。该半导体装置包括：集电区；与该集电区邻接的基区；与该基区邻接的发射区；以及在该发射区上的掺杂的半导体层；其中该掺杂的半导体层的宽度大于发射区的宽度，该掺杂的半导体层的导电类型与该发射区的导电类型相同。本发明中，在发射区之上的掺杂的半导体层的宽度大于发射区的宽度，从而相当于增加了发射区的宽度，提高器件的β值，从而提高器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：集电区；与所述集电区邻接的基区；与所述基区邻接的发射区；以及在所述发射区上的掺杂的半导体层；其中所述掺杂的半导体层的宽度大于所述发射区的宽度，所述掺杂的半导体层的导电类型与所述发射区的导电类型相同。
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